台积电计划于2024年4月开始为2nm晶圆厂安装设备

台积电（TSMC）在2023年的IEEE国际电子元件会议（IEDM 2023）上重申，其下一代2nm制程节点将于2025年投入量产，这也是其半导体工艺首次采用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。

LTN的报道称，台积电计划于2024年4月为位于中国台湾新竹科技园的2nm晶圆厂开始安装设备，这标志着台积电N2工艺项目取得了重大进展，达到了一个关键的里程碑。晶圆厂的设备安装通常需要一年的时间，其中包括多台来自ASML的极紫外（EUV）光刻机，以及后续的验证过程。台积电并没有公开2nm晶圆厂的具体时间安排，因此外界只能通过一些其他的线索来了解其进展情况。

台积电为了保持其在先进制程领域的优势，内部已经组织了一个名为“One Team”的团队，致力于2nm制程节点的开发、试产和量产等各个环节，包括推进其在中国台湾新竹宝山和高雄两地的晶圆厂的同步试产和2025年的量产。团队中除了有研发人员，还有负责前期生产的晶圆厂工程师。

此前有媒体报道，台积电在中国台湾的北部（新竹宝山）、中部（台中中科）和南部（高雄楠梓）都进行了大规模的投资，建设2nm晶圆厂。其中位于新竹科技园宝山二期的Fab20晶圆厂，共有四座12英寸晶圆厂（P1-P4），是新一代N2工艺的起点，预计于2024年下半年开始风险性试产。