台积电首度透露1.4nm工艺在研发中，对2nm工艺充满信心

台积电（TSMC）在IEEE国际电子元件会议（IEDM 2023）上宣布，其1.4nm制程节点的研发工作已经全面启动，进展顺畅，同时也重申了下一代的2nm制程节点将在2025年实现量产的目标。

根据TomsHardware的报道，这是台积电第一次向外界透露其1.4nm制程节点的情况，其对应工艺的正式名称是“A14”。关于A14工艺的具体规格和量产时间，目前还不明确。按照台积电的规划，N2工艺计划在2025年年底量产，N2P工艺则是2026年年底，可以推测A14工艺的推出时间大约在2027年到2028年之间。

虽然台积电正在研究下一代堆叠式CFET架构晶体管技术，但是A14工艺不太可能使用，更有可能依靠于第二代或第三代Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术，这一点应该和N2工艺一致。另外，也不清楚台积电是否会在A14工艺上采用High-NA EUV光刻机，新设备的引入可能会给芯片设计人员和芯片制造商带来一些新的挑战。像N2和A14这样的先进半导体工艺，需要系统级的协同优化，才能真正发挥效果，最终将性能、功耗和功能提升到新的高度。

三星在去年的“Samsung Foundry Forum 2022”上，公开了未来的技术路线图，其中SF1.4（1.4nm级别）工艺预计会在2027年量产，纳米片的数量从3个增加到4个，有望显著提高性能和功耗的表现。从时间上看，台积电的A14工艺应该和三星的SF4工艺相差不多。

对于外界传闻三星在2nm上采取降价策略抢占订单，台积电董事长刘德音表示“客户还是看技术的品质”，似乎对下一代工艺非常自信。