SK海力士明年开始HBM4开发，HBM3E也将进入量产阶段
今年，存储器市场不景气，许多厂商遭受重大损失，但是SK海力士却抓住了服务器市场升级DDR5内存和人工智能（AI）崛起的机遇，依靠有针对性的产品线和市场策略，赢得了相当多的市场份额。作为英伟达高带宽存储器的合作伙伴，SK海力士保持了HBM市场的领先优势，甚至形成了“一枝独秀”的局面。
最近，SK海力士在介绍2024年存储产品线的时候，已经确定明年将开始下一代HBM4的开发工作，为数据中心和人工智能产品提供支持。其实在今年第四季度里，三星和美光就已经分别宣布正在开发HBM4，计划在2025年和2026年推出。
HBM类产品经历了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的开发，其中HBM3E是HBM3的增强（Extended）版本，而HBM4将是第六代产品。SK海力士表示，HBM3E会在2024年开始批量生产，而启动HBM4的开发工作意味着HBM产品的持续发展迈出了关键的一步。
此前有报道称，下一代HBM4设计会有很大的变化，内存堆栈将采用2048位接口。自2015年以来，每个HBM堆栈采用的都是1024位接口，将位宽加倍是HBM内存技术推出后最大的变化。如果HBM4能保持现有的引脚速度，意味着带宽将从现在HBM3E的1.15TB/s提升至2.3TB/s，提升会非常显著。
传闻HBM4在堆栈的层数上也有所变化，除了首批的12层垂直堆叠，2027年还会带来16层垂直堆叠。同时HBM还会往更为定制化的方向发展，不仅排列在SoC主芯片旁边，部分还会转向堆栈在SoC主芯片之上。
